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佳能发布 i 线光刻机“ FPA-5520iV HR Option ”,

——分辨率达 0.8 微米,可对应先进封装的后道工序

佳能公司宣布将于 2018 年 12 月下旬发布针对半导体曝光设备后道工序的 i 线光刻机※ 1 「 FPA-5520iV 」系列的高分辨率新产品“ FPA-5520iV HR Option ”,强化 FOWLP ※ 2 功能,并进一步提升生产效率。

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FOWLP 功能的半导体曝光设备市场正在扩大。在 FOWLP 封装技术市场中,对高密度布线的需求高,进而提高了对分辨率的要求。

新产品在继承了“ FPA-5520iV ”( 2016 年 7 月上市)的强大 FOWLP 功能及高生产效率等基本性能的同时,进一步提高了分辨率,达 0.8 微米 ※ 3 。

实现分辨率 0.8 微米

“ FPA-5520iV ”原本具有 1.0 微米的分辨率,而在“ FPA-5520iV HR Option ”中采用了全新投射光学系统,使针对封装的光刻机可以实现分辨率 0.8 微米的微细图形加工,达到业界最高水平 ※ 4 。由此,半导体芯片可更小,而且能够增加信息处理量,提升处理速度。

继承 “FPA-5520iV” 的基本性能

新产品同时也继承了“ FPA-5520iV ”已实现的多个基本性能。如可以灵活应对再构成基板 ※ 5 变形等 FOWLP 技术中的量产问题,以及在芯片排列偏差较大的再构成基板上检测校准标记 ※ 6 、从而提高生产效率等性能。

※ 1 使用水银灯波长为 365 纳米光源的半导体曝光设备。 1 纳米是 10 亿分之一米。

※ 2 Fan Out Wafer Level Package 的简写。封装技术的一种。有可以应对无基板、封装面积比芯片大且引脚较多的封装等优势。

※ 3 1 微米是 100 万分之一米。( = 1000 分之一毫米)

※ 4 判断条件为同等级的 i 线光刻机,并硅片平坦度相同的情况。截止 2018 年 12 月 10 日。(佳能调查)

<半导体曝光设备的市场动向>

通过微型化实现高度集成的半导体元件制造工艺暂时处于停滞状态。作为微型化以外的高度集成方法之一,提高封装布线密度的方案被提出。其中, FOWLP 作为最有力的技术受到广泛关注,伴随后道工序制造厂商量产化趋势逐渐兴起的同时, FOWLP 的 RDL ※微型化也得到了发展。

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